特許
J-GLOBAL ID：200903069147911578
薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221046
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064554
出願日： 1994年08月23日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 パーティクル数が少なく、Ta濃度の経時的バラツキの小さい薄膜を形成することができる薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。【構成】 スパッタリングターゲット材が、Ta:1〜20重量%を含有し、残りがAlと不可避不純物からなる組成、並びに平均粒径:30μm以下のAl3Taを主体とする金属間化合物が、平均結晶粒径:30μm以下の再結晶組織の素地中に分散した組織を有する。
請求項（抜粋）：
Ta:1〜20重量%を含有し、残りがAlと不可避不純物からなる組成、並びに平均粒径:30μm以下のAl3 Taを主体とする金属間化合物が、平均結晶粒径:30μm以下の再結晶組織の素地中に分散した組織を有することを特徴とする薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材。
IPC (3件)：
H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, C23C 14/34
