特許
J-GLOBAL ID:200903069157753270

酸化物超電導体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-086092
公開番号(公開出願番号):特開2001-270716
出願日: 2000年03月27日
公開日(公表日): 2001年10月02日
要約:
【要約】【課題】 超電導特性に優れ,かつ機械的強度に優れた酸化物超電導体とその製造方法を提供すること。【解決手段】 気孔率5%以下で超電導遷移温度(Tc)が93K以上のRE-Ba-Cu-O(REは希土類元素またはその組み合わせでNd,Sm,Eu,Gdのうちの少なくとも一つを含む)系化合物を含有する。また,成形体を加熱して部分溶融状態として,減圧を施す。
請求項(抜粋):
気孔率5%以下で超電導遷移温度(Tc)が93K以上のRE-Ba-Cu-O(REは希土類元素またはその組み合わせでNd,Sm,Eu,Gdのうちの少なくとも一つを含む)系化合物を含有することを特徴とする酸化物超電導体。
IPC (4件):
C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565
FI (4件):
C01G 1/00 S ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D
Fターム (10件):
4G047JC02 ,  4G047KB11 ,  4G047KB14 ,  4G047KB17 ,  4G047LB10 ,  5G321AA02 ,  5G321BA03 ,  5G321CA04 ,  5G321CA13 ,  5G321DB29

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