特許

J-GLOBAL ID：200903069159420995

ROMデータを保持する強誘電体メモリ装置

発明者： 加藤 達夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072639
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268581
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】製造プロセスによりROMデータを書き込み、そのデータを復元することができ、その後書き換え、復元が可能な強誘電体キャパシタを提供する。【解決手段】本発明は、強誘電体キャパシタを有するメモリセルからなる強誘電体メモリ装置において、メモリセルはヒステリシス特性が異なる強誘電体キャパシタを有することを特徴とする。ROMデータとして異なるヒステリシス特性のキャパシタが、製造プロセスにおいて形成される。そして、そのヒステリシス特性の違いを利用して、製造プロセスで書き込まれたROMデータを復元することができ、分極方向で記録することができる。また、通常の書き込み方法により記録データを自由に書き換えることができ、電源を切断しても記録データが保持される。そして、最初のROMデータが書き換えられた後でも、上記の異なるヒステリシス特性を利用することで、当該ROMデータを復元することができる。

請求項（抜粋）：

複数のビット線と複数のワード線との交差位置に設けられた複数のメモリセルを有する強誘電体メモリ装置において、前記複数のメモリセルは、第1のヒステリシス特性の強誘電体キャパシタを有する第1のメモリセルと、第2のヒステリシス特性の強誘電体キャパシタを有する第2のメモリセルとを有することを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22

FI (2件)：

G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22

Fターム (4件)：

5B024AA15 ,  5B024BA02 ,  5B024BA25 ,  5B024CA27