特許
J-GLOBAL ID:200903069160765033

Bi2Sr2Ca2Cu3OX系超伝導薄膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 清路
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-260581
公開番号(公開出願番号):特開2001-089298
出願日: 1999年09月14日
公開日(公表日): 2001年04月03日
要約:
【要約】【課題】 キャリア濃度の経時変化が少なく、作製が容易な、超伝導薄膜を提供する。【解決手段】 本Bi2Sr2Ca2Cu3OX系超伝導薄膜は、Bi-2212を0〜約11mol%の範囲で結晶格子毎に混合したものとすることで、経時変化が生じるアニール処理等を行うことなくキャリア濃度を適切なものとし、臨界電流密度Jcを大きくし、表面抵抗Rsを低くすることができる。また、Bi-2212の混合割合による表面抵抗Rs等の変化は穏やかであるため、厳密な混合割合とする必要がなく、容易に本超伝導薄膜を作製することができる。
請求項(抜粋):
Bi2Sr2Ca2Cu3OX結晶格子及びBi2Sr2CaCu2OX結晶格子が結晶格子毎に混合されているBi2Sr2Ca2Cu3OX系超伝導薄膜であって、該Bi2Sr2CaCu2OX結晶格子の混合割合は、Bi2Sr2Ca2Cu3OX結晶格子及びBi2Sr2CaCu2OX結晶格子の合計に対して0mol%を越え、11mol%以下であることを特徴とするBi2Sr2Ca2Cu3OX系超伝導薄膜。
IPC (3件):
C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA
FI (3件):
C30B 29/22 501 M ,  C01G 1/00 S ,  C01G 29/00 ZAA
Fターム (17件):
4G047JA03 ,  4G047JC10 ,  4G047KA01 ,  4G047KE04 ,  4G047KG01 ,  4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AC02 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB07 ,  4G077BC58 ,  4G077DA12 ,  4G077DA16 ,  4G077SA04 ,  4G077SB01

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