特許

J-GLOBAL ID：200903069163423494

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 松永 俊博 ,  白井 優之 ,  林田 哲哉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181722
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027866
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置において低熱抵抗化を図る。【解決手段】 半導体素子1の非回路形成面である裏面1cの外周部1dと接合して半導体素子1を支持する素子外周支持面3aを備えかつ半導体素子1の裏面1cの面積よりも小さい貫通孔3bが設けられた素子搭載基板3と、半導体素子1とその周辺部1eとを封止する封止樹脂4とからなり、半導体素子1の裏面1cが素子搭載基板3の貫通孔3bを介して露出するように半導体素子1と素子搭載基板3とが接合されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子を搭載しかつ封止してなる半導体集積回路装置であって、前記半導体素子の回路形成面と反対側の非回路形成面の外周部と接合して前記半導体素子を支持する素子外周支持面を備え、かつ前記半導体素子の非回路形成面の面積よりも小さい貫通孔が設けられた素子搭載基板と、前記半導体素子とその周辺部とを封止する封止材とを有し、前記半導体素子の非回路形成面が前記素子搭載基板の貫通孔を介して露出するように前記半導体素子と前記素子搭載基板とが接合されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28

FI (5件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/28 B ,  H01L 23/12 W ,  H01L 23/12 J