特許

J-GLOBAL ID：200903069171626957

チタン系薄膜のエッチング液及び半導体装置の製造方法

発明者： 岡田 純二
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-119282
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310492
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 チタン系薄膜をパターニングする際に、サイドエッチ量等を少なくして微細加工を可能とするチタン系薄膜のエッチング液を得る。【構成】 チタン系薄膜上にレジストパターンを形成し、NH4OH濃度が3%以下となるNH4OH-H202-H2O系のエッチング液でチタン系薄膜をエッチングすると、エッチングによるパターン端面の凹凸をなくすとともに、レジストパターン端部の下部のチタン薄膜がエッチングされるサイドエッチ量を1μm以下とすることができる。

請求項（抜粋）：

NH4OH-H202-H2O系からなり、NH4OH濃度が3%以下であることを特徴とするチタン系薄膜のエッチング液。

IPC (4件)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/40