特許

J-GLOBAL ID：200903069174650689

アンチフューズ素子及びその製造方法

発明者： 高木 万里子 ,  吉井 一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-212460
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078532
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は配線フィールド低下や集積度低下、コスト増をできるだけ押さえた金属配線間アンチフューズ及び金属配線間アンチフューズを用いた集積回路を実現する為のアンチフューズ素子構造及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明によるアンチフューズ素子は、半導体基板上に形成されるもので、上面以外の面が絶縁膜中に埋め込まれて、且つ、上面が前記絶縁膜と同一面を形成する第1の電極層と、前記第1の電極層の上面を含む平面に形成されたアンチフューズ絶縁膜と、前記アンチフューズ絶縁膜上に形成された第2の電極層とを具備し、前記第1及び第2の電極層の交点にアンチフューズ部をセルフアラインにより形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されるもので、上面以外の面が絶縁膜中に埋め込まれて、且つ、上面が前記絶縁膜と同一面を形成する第1の電極層と、前記第1の電極層の上面を含む平面に形成されたアンチフューズ絶縁膜と、前記アンチフューズ絶縁膜上に形成された第2の電極層とを具備し、前記第1及び第2の電極層の交点にアンチフューズ部をセルフアラインにより形成することを特徴とするアンチフューズ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/10 431

FI (3件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 21/90 B