特許
J-GLOBAL ID：200903069177758642
半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064329
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267190
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 半導体薄膜のうち、電気的、光学的特性の優れた微結晶相を含むシリコンカーバイド薄膜を製造する方法を提供する。【構成】 プラズマ化学気相成長装置に水素ガスライン1と原料ガスライン2とを設け、圧空バルブ3、4をタイマー制御することによって、シリコン元素及び炭素元素を含む原料ガスを用いて基板上にシリコンカーバイド半導体薄膜を成長させた後、前記原料ガスを反応室から除去し、水素ガスを導入して前記シリコンカーバイド半導体薄膜を水素プラズマ処理する。【効果】 均一で、大面積の微結晶相を含むシリコンカーバイド半導体薄膜を容易に得ることができる。
請求項（抜粋）：
プラズマ化学気相成長装置を用いる半導体薄膜の製造方法において、シリコン元素及び炭素元素を含む原料ガスを用いて基板上にシリコンカーバイド半導体薄膜を成長させた後、前記原料ガスを反応室から除去し、水素ガスを導入して前記シリコンカーバイド半導体薄膜を水素プラズマ処理することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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