特許
J-GLOBAL ID：200903069178736677
ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-296313
公開番号（公開出願番号）：特開平9-110429
出願日： 1995年10月06日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：
【要約】【目的】 不揮発メモリーなどに用いられるビスマス層状強誘電体薄膜ABi2B2O9(ここでAはSrまたはBaを、BはNbまたはTaを表す)を化学気相成長法で形成する方法を提供する。【構成】 熱CVD装置において、AとBの原料としてA〔B(OR)6〕2で表されるダブルエトキシドあるいはダブルイソプロポキシドを蒸発または昇華させて導入し、Biの原料として、ビスマスターシャリブトキシドまたはビスマスターシャリペントキシドを昇華させて導入し、加熱した基板上にこれらの原料ガスを導き分解堆積させ、次いでオゾンを含有する雰囲気で熱処理する。【効果】 本発明によれば、上記の方法を用いることにより、膜の組成、膜中の残留炭素の低減、結晶構造の制御が容易になり、半導体装置製造において電気特性歩が向上する効果がある。
請求項（抜粋）：
ABi2B2O9(ただし、式中A=Sr,Ba,B=Nb,Taのいずれかを表す)で表されるビスマス層状強誘電体の薄膜を、AとBの原料としてA〔B(OR)6〕2(ここでRは、C2H5またはCH(CH3)2を表す)で表されるダブルアルコキシドを用い、Biの原料としてビスマスターシャリブトキシドあるいはビスマスターシャリペントキシドを用いて気相成長法で製造する場合において、両原料の分解堆積により膜を形成する工程と次いでオゾンを含有する雰囲気で熱処理する工程を有することを特徴とするビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (6件)：
C01G 33/00
, B01J 19/00
, C01G 35/00
, C23C 16/40
, H01B 3/00
, H01G 4/33
C01G 33/00 A
, B01J 19/00 K
, C01G 35/00 C
, C23C 16/40
, H01B 3/00 F
, H01G 4/06 102
