特許

J-GLOBAL ID：200903069180514053

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 東 敏生
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171508
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007440
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 比較的容易に、ビームサイズ変換部によるレーザビームの吸収を抑制することができる。【解決手段】 導電型の半導体基板の表面上に、化合物半導体材料からなる量子井戸層とバリア層とが交互に積層された活性層を形成する。その活性層のうち、半導体基板の表面内の第1の領域上の部分は、その厚さがほぼ一定であり、第1の領域に隣接する第2の領域上の部分は、第1の領域との境界から遠ざかるに従って徐々に薄くなる。活性層の上に、第1導電型とは反対の第2導電型の半導体材料からなるクラッド層を形成する。活性層の第1の領域上の部分において構成原子の混合を生じさせることなく、活性層の前記第2の領域上の部分において構成原子の混合を生じさせる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の表面上に、化合物半導体材料からなる量子井戸層とバリア層とが交互に積層された活性層を形成する工程であって、前記半導体基板の表面内の第1の領域上の部分は、その厚さがほぼ一定であり、該第1の領域に隣接する第2の領域上の部分は、該第1の領域との境界から遠ざかるに従って徐々に薄くなるような前記活性層を形成する工程と、前記活性層の上に、前記第1導電型とは反対の第2導電型の半導体材料からなるクラッド層を形成する工程と、前記活性層の第1の領域上の部分において構成原子の混合を生じさせることなく、前記活性層の前記第2の領域上の部分において構成原子の混合を生じさせる工程とを有する半導体レーザ装置の製造方法。

Fターム (10件)：

5F073AA22 ,  5F073AA35 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AB25 ,  5F073CA12 ,  5F073CA15 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073EA29