特許

J-GLOBAL ID：200903069188692325

微細パターン形成方法および微細パターン形成装置

発明者： 沖仲 元毅 ,  塚越 一仁 ,  青柳 克信
出願人/特許権者： 独立行政法人理化学研究所
代理人 (1件)： 上島 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-195131
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019464
出願日： 2004年07月01日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

【課題】従来の技術では達成できなかった高アスペクト比構造を実現する。【解決手段】微細な凹凸構造を備えた微細パターンを形成されたモールドをパターニング材料に圧接して、上記パターニング材料に微細な凹凸構造を備えた微細パターンを形成する微細パターン形成方法において、微細な凹凸構造を備えた微細パターンを形成されたモールドとパターニング材料とを圧接する第1のステップと、上記圧接された上記モールドと上記パターニング材料とを圧接方向と直交する方向に相対的に移動させる第2のステップと、上記モールドと上記パターニング材料との圧接を解除して、上記パターニング材料から上記モールドを引き抜く第3のステップとを有する。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

微細な凹凸構造を備えた微細パターンを形成されたモールドをパターニング材料に圧接して、前記パターニング材料に微細な凹凸構造を備えた微細パターンを形成する微細パターン形成方法において、 微細な凹凸構造を備えた微細パターンを形成されたモールドとパターニング材料とを圧接する第1のステップと、 前記圧接された前記モールドと前記パターニング材料とを圧接方向と直交する方向に相対的に移動させる第2のステップと、 前記モールドと前記パターニング材料との圧接を解除して、前記パターニング材料から前記モールドを引き抜く第3のステップと を有することを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (1件)：

H01L21/30 502D

Fターム (4件)：

5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046BA10 ,  5F046DA30