特許
J-GLOBAL ID：200903069192658360
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154054
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029853
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】層間絶縁膜上に設けられた配線をコンタクト孔を介して拡散層に電気的に接続するための半導体装置の製造方法において、コンタクト抵抗の上昇を抑制し、接合リークの発生を回避する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】層間絶縁膜3にコンタクト孔4を形成し、全面にTi膜5,第1のTiN膜6を形成し、窒素処理によりTiN膜6をTiN膜6aにする。同一真空室内で第2のTiN膜7,Al合金膜8aを成膜し、熱処理によりこのAl合金膜8aをリフローしてAl合金膜8aaに変換する。
請求項（抜粋）：
表面に拡散層が形成されたシリコン基板上に層間絶縁膜を堆積し、該層間絶縁膜に該拡散層に達するコンタクト孔を形成する工程と、前記コンタクト孔表面を含めて前記層間絶縁膜表面にチタン膜と第1の窒化チタン膜とを順次堆積する工程と、窒素処理を行なう工程と、真空室内で前記第1の窒化チタン膜の表面に第2の窒化チタン膜を堆積する工程と、前記真空室内で前記第2の窒化チタン膜表面に少なくともシリコンを含んだアルミニウム合金膜を堆積する工程と、高温加熱により前記アルミニウム合金膜を流動化させ、前記コンタクト孔を該アルミニウム合金膜にて埋設する工程と、前記アルミニウム合金膜,前記第2の窒化チタン膜,前記第1の窒化チタン膜および前記チタン膜を順次パターニングして配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
