特許
J-GLOBAL ID：200903069197096077
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-197553
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045701
出願日： 1995年08月02日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】本発明は、オーバーハング構造を有するエピベース型のバイポーラトランジスタおよびその製造方法において、コレクタ-ベース間の容量やベース抵抗などを低減でき、より高性能化を図ることができるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、Si基板11上のベース層14を、酸化膜に対しては選択性をもち、窒化膜に対しては非選択性となる条件でエピタキシャル成長を行って形成する。これにより、コレクタ層12の上部にベース層14を形成すると同時に、第1の窒化膜13b上に第1のベース電極ポリシリコン層15を形成する。こうして、コレクタ層12とベース層14との接合部の面積を小さくするとともに、第1のベース電極ポリシリコン層15と第2のベース電極ポリシリコン層17との接合部分およびベース層14間の距離の短縮を図る構成となっている。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶基板と、この半導体単結晶基板上の、素子領域以外の領域に設けられた素子分離領域と、この素子分離領域を除く、前記素子領域上に、その素子領域とほぼ同じ大きさで設けられた半導体単結晶層と、この単結晶層に接するようにして、前記素子分離領域上の一部の領域に前記単結晶層と同じ厚さで設けられた第1の多結晶層と、この第1の多結晶層が設けられた一部の領域を除く、前記素子分離領域上に、前記第1の多結晶層と同じ厚さで設けられた絶縁層と、この絶縁層を含む、前記第1の多結晶層上に設けられ、かつ、この第1の多結晶層上に第1の開口を有する第2の多結晶層と、この第2の多結晶層上に設けられ、かつ、前記第1の開口に対応する部分に第2の開口を有する第1の絶縁膜と、前記第1,第2の開口の側壁を覆うようにして設けられた第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜によって一部が覆われた前記単結晶層上に設けられた第3の多結晶層と、この第3の多結晶層が接する前記単結晶層の表面に形成された不純物拡散領域とを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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