特許
J-GLOBAL ID：200903069198587210
III族窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127218
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324946
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 ビーム形状,光およびキャリアの閉じ込め効率に対して影響を与えずに、活性層への応力の影響を低減することの可能なIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n-Al0.12Ga0.88Nクラッド層105とn-GaNガイド層107との間、および、p-GaNガイド層109とp-Al0.12Ga0.88Nクラッド層111との間に、それぞれ、n-Al0.07In0.03Ga0.9N応力緩和層106、p-Al0.07In0.03Ga0.9N応力緩和層110が設けられている。
請求項（抜粋）：
第1のクラッド層と、活性層と、第2のクラット層とが積層されており、第1のクラッド層,第2のクラット層のうちの少なくとも一方のクラッド層と活性層との間に、応力を緩和する応力緩和構造が設けられていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
Fターム (13件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073BA01
, 5F073BA06
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073EA06
, 5F073EA23
, 5F073EA28
