特許
J-GLOBAL ID：200903069199567476
半導体メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241978
公開番号（公開出願番号）：特開平9-091989
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【構成】 多ビット構成の半導体メモリにおいて、冗長ワード線によって救済される領域と冗長ビット線によって救済される領域とが同一にならないようにメモリブロックを区画するとともに区画されたメモリブロック群の冗長ビット線を別々に選択できるように冗長デコーダを構成した。【効果】 区画されたメモリブロック群ごとに不良ビット線を救済することができるため、各メモリブロックごとに設けられる冗長ビット線が有効に利用できるようになり、冗長ワード線や冗長ビット線を増加させることなく救済アドレスを増加させ、半導体メモリの歩留まりを向上させることができる。
請求項（抜粋）：
メモリアレイ内に設けられた冗長ワード線によって救済される領域と冗長ビット線によって救済される領域とが同一にならないようにメモリアレイを区画し、区画された領域の冗長ビット線を別々に選択できるように冗長デコーダを構成したことを特徴とする半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 29/00 301
, G11C 11/413
G11C 29/00 301 B
, G11C 11/34 302 A
, G11C 11/34 341 C
