特許

J-GLOBAL ID：200903069205084580

半導体集積回路接続用基板およびそれを構成する部品ならびに半導体装置

発明者： 澤村 泰司 ,  安藤 芳雄 ,  木越 将次
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-216520
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178062
出願日： 1997年08月11日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】耐リフロー性、サーマルサイクル性に優れた半導体集積回路接続用基板およびそれを構成する部品ならびに半導体装置を工業的に提供し、表面実装用の半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層、導体パターンが形成されていない層および接着剤層をそれぞれ少なくとも1層以上有する半導体集積回路接続用基板であって、該接着剤層を構成する接着剤組成物がエポキシ樹脂(A)および熱可塑性樹脂(B)を含有し、前記エポキシ樹脂(A)が、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂(a)を必須成分として含有することを特徴とする半導体集積回路接続用基板およびそれを構成する部品ならびに半導体装置。

請求項（抜粋）：

絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層、導体パターンが形成されていない層および接着剤層をそれぞれ少なくとも1層以上有する半導体集積回路接続用基板であって、該接着剤層を構成する接着剤組成物がエポキシ樹脂(A)および熱可塑性樹脂(B)を含有し、前記エポキシ樹脂(A)が、下記式(1)で表されるエポキシ樹脂(a)を必須成分として含有することを特徴とする半導体集積回路接続用基板。【化1】(ただし、R1〜R8は各々水素原子、C1〜C4の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。)

IPC (7件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  C09J 11/04 ,  C09J109/00 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L 23/12

FI (7件)：

H01L 21/60 311 W ,  H01L 21/60 311 R ,  C09J 11/04 ,  C09J109/00 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L 23/12 L