特許
J-GLOBAL ID：200903069207521200

酸化アルミニウムフィルムの低温での製造方法

発明者：
ヤルモ スカルプ

ヤルモ スカルプ について

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メルヴィ リンネルモ

メルヴィ リンネルモ について

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ティモ アスィカイネン

ティモ アスィカイネン について


出願人/特許権者：
エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ

エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ について


代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-324382
公開番号（公開出願番号）：特開2002-161353
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：
【要約】【課題】 ALD方法によって基板の上に酸化アルミニウム薄膜を作り出す方法であって、蒸発可能な有機アルミニウム化合物を成長基板に結合させ、結合した有機アルミニウム化合物を酸化アルミニウムに変換する工程を含む方法を提供すること。【解決手段】 本発明によれば、結合した有機アルミニウム化合物を、水以外の酸素の反応性蒸気発生源と接触させることによって酸化アルミニウムに変換し、そしてその基板はその成長方法の間190°C未満の温度に保たれる。本発明によって、品質の良いフィルムを低温度で作り出すことが可能である。高温に耐えない表面を不動態化するのに、密な構造を持っている誘電性の薄膜を使用することができる。そのような表面は、例えば、ポリマーフィルムである。さらに、水のない酸素源を使用すると、水に敏感な表面をも不動態化することができる。
請求項（抜粋）：
ALD法を使用して基板上に酸化アルミニウム薄膜を製造する方法であって、蒸発可能な有機アルミニウム化合物を成長基板に結合させ、およびその結合した有機アルミニウム化合物を酸化アルミニウムに変換させる方法であり、結合した有機アルミニウム化合物を、水以外の酸素の反応性蒸気発生源と接触させることにより酸化アルミニウムに変換すること、および基板を成長方法の間190°C未満の温度に維持することを特徴とする方法。
IPC (5件)：
C23C 14/08 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/20 ,  C23C 14/58 ,  C23C 18/12
FI (5件)：
C23C 14/08 A ,  B32B 9/00 A ,  B32B 15/20 ,  C23C 14/58 Z ,  C23C 18/12
Fターム (35件)：
4F100AA19B ,  4F100AH08B ,  4F100AH10A ,  4F100AS00C ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EA061 ,  4F100EH66C ,  4F100EJ12B ,  4F100EJ132 ,  4F100EJ422 ,  4F100EJ591 ,  4F100EJ601 ,  4F100GB41 ,  4F100JG05 ,  4F100JM02B ,  4F100JN13A ,  4K022AA13 ,  4K022AA32 ,  4K022AA41 ,  4K022AA43 ,  4K022BA02 ,  4K022BA15 ,  4K022BA33 ,  4K022DA06 ,  4K022DB24 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08
引用特許：
審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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