特許

J-GLOBAL ID：200903069208011583

半導体装置の製造方法

発明者： 五十嵐 一雅 ,  長沢 徳 ,  谷川 聡 ,  薄井 英之 ,  吉尾 信彦 ,  伊藤 久貴
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 松月 美勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-132818
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306739
出願日： 1995年05月02日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】半導体チップ4の電極41に接続される内側電極22と被実装回路板の導体端に接続される外側電極23とこれらの電極間にまたがる引き回し導体21とからなるプリント配線パタ-ンを有するチップサイズの補助配線板片2を半導体チップ4の電極41側の面にあてがい、該補助配線板片2の内側電極22と半導体チップ4の電極41とを金属バンプ220を介し接続する半導体装置において、半導体チップと補助配線板片との間の封止を確実に行い得る半導体装置の製造方法を提供する。【構成】補助配線板片と半導体チップとの間の間隙を上記の金属バンプ220以外にスペ-サ-バンプ32によっても保持しつつ上記封止樹脂の圧入を行う。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極に接続される内側電極と被実装回路板の導体端に接続される外側電極とこれらの電極に導通された引き回し導体とからなる配線パタ-ンを有する補助配線板片の内側電極側と半導体チップの電極とを金属バンプを介して接続し、補助配線板片と半導体チップとの間に封止樹脂を圧入して半導体装置を製造する方法において、補助配線板片と半導体チップとの間の間隙を上記の金属バンプ以外にスペ-サ-バンプによっても保持しつつ上記封止樹脂の圧入を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/12 Q