特許

J-GLOBAL ID：200903069208566097

光加工方法

発明者： 山崎 舜平 ,  伊藤 健二 ,  永山 進
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-127523
公開番号（公開出願番号）：特開平8-112682
出願日： 1984年10月29日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目 的】 基板上に形成された透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものに光を照射することによって選択的に加工する光加工方法で、太陽電池等を作製する際に用いられる。【構 成】 400 nm以下の波長のパルスレ-ザ光は、ビ-ムエキスパンダ2にて大面積化または長面積化して、非単結晶半導体上に形成された透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせたもの11に照射される。パルスレーザ光は、平行に配設された一つまたは複数のシリンドリカルレンズ4により、一つまたは複数の線状のパルス光に集光されて、透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものが形成されている基板を損傷させることなく、一つまたは複数の開溝が形成される。

請求項（抜粋）：

400 nm以下の波長からなるパルスレ-ザ光をビ-ムエキスパンダにて大面積化または長面積化して、基板上に形成された透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものに照射することにより、透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものに、一つまたは複数の開溝を形成する光加工方法であって、前記パルスレーザ光は、平行に配設された一つまたは複数のシリンドリカルレンズにより、一つまたは複数の線状のパルス光に集光されることを特徴とする光加工方法。

IPC (4件)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/06 ,  H01S 3/00 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-094482
  
• 特開昭59-096783