特許

J-GLOBAL ID：200903069210774179

半導体装置とその製造方法

発明者： 吉川 俊英 ,  原 直紀 ,  落水 洋聡
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060594
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275523
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 電界効果型トランジスタを集積化したIII-V族化合物半導体装置とその製造方法に関し、効率的にサイドゲート効果を抑制することのできる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板上に素子領域となる活性層を含む半導体装置であって、前記半導体基板と前記活性層との間に配置され、1×1018cm-3以上の酸素濃度と5×1017cm-3以下の炭素濃度を有する高抵抗率AlGaAs層を含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)上に素子領域となる活性層(4)を含む半導体装置であって、前記半導体基板(1)と前記活性層(4)との間に配置され、1×1018cm-3以上の酸素濃度と5×1017cm-3以下の炭素濃度を有する高抵抗率AlGaAs層(2)を含む半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-241141
  
• 特開平4-280897
  
• 特開平4-328822