半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土屋勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032977
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203842
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】接合リーク電流が少なく且つ浅い拡散層を形成して、微細な半導体装置を製造する。【構成】 -40°C以下の温度のSi基板に1×1015〜1×1016cm-2のドーズ量でSiイオンをイオン注入して非晶質層を形成した後、Si基板に不純物をイオン注入して非晶質層よりも浅い不純物層を形成する。このため、結晶層との界面における転移ループ11の伸び及び数が抑制された非晶質層を形成することができ、且つアニールで不純物を活性化させた不純物層を非晶質層よりも浅く形成することができる。

請求項（抜粋）：

-40°C以下の温度のSi基板に1×1015〜1×1016イオン/cm2 のドーズ量でSiイオンをイオン注入して、前記Si基板に非晶質層を形成する工程と、前記非晶質層を形成した後に前記Si基板に不純物をイオン注入して、前記非晶質層よりも浅い不純物層を前記Si基板に形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/265 Q , H01L 21/265 A , H01L 21/265 W

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