特許
J-GLOBAL ID：200903069212267967
半導体レーザモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012903
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214799
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 出力パワーが大きく、温度変化に対する発振波長の安定度に優れ、EDFA励起用の光源に適した半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】 励起光の出射面2aと、出射面と対向する反射面2bとを有する半導体レーザ素子2及び半導体レーザ素子2の出射面2aから出射された光パワーを結合手段4によって、パワーの大部分を半導体レーザ素子2に戻し、一部の光パワーを出力する光帰還媒体3とを備えた半導体レーザモジュール1。半導体レーザ素子2は、出射面2aに反射率が、10-4%〜10%の低反射多層膜2cが形成され、低反射多層膜2cは、反射スペクトル特性に関し、中心波長で極大値を有し、その両側に極小値を有する曲線形状である。
請求項（抜粋）：
励起光の出射面と、該出射面と対向する反射面とを有する半導体レーザ素子及び該半導体レーザ素子の前記出射面から出射された光パワーを所定の結合効率に基づいて前記半導体レーザ素子に戻すと共に、光パワーとして出力する光帰還媒体とを備えた半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子は、前記出射面に中心波長の反射率が10-4%〜10%の第1の多層膜が形成され、該第1の多層膜は、反射スペクトル特性が、中心波長の両側に極小値を有する曲線形状であることを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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