特許
J-GLOBAL ID：200903069216321265

電界効果型有機トランジスタおよびその製造方法

発明者：
中村 真一

中村 真一 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-328525
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093921
出願日： 2003年09月19日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 移動度が大きくオンオフ比の高い、有機半導体層を有する電界効果型有機トランジスタを提供する。【解決手段】 絶縁性基板11上にゲート電極12を配置し、その上にゲート絶縁層13を配置し、更にその上にソース電極15およびドレイン電極14を配置し、その上に有機半導体層16および保護膜17を配置してなる電界効果型有機トランジスタであって、該ゲート絶縁層16が光異方性材料を含有し、その光異方性材料により該有機半導体層が配向している電界効果型有機トランジスタである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の各電極と、ゲート絶縁層及び有機半導体層とを有する電界効果型有機トランジスタであって、該ゲート絶縁層が光異方性材料を含有し、その光異方性材料が光照射により生成した異方性構造に接して有機半導体層が設けられていることを特徴とする電界効果型有機トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V
Fターム (38件)：
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (3件)

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