特許

J-GLOBAL ID：200903069220194170

ウエハ研磨方法及び装置

発明者： 真田 友宏 ,  稲葉 高男 ,  松下 治
出願人/特許権者： 株式会社東京精密
代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-316327
公開番号（公開出願番号）：特開平8-174404
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：

【要約】【目的】 ウエハ表面を均一に研磨することにより、半導体チップを歩留りよく生産し、さらに半導体チップの高集積化、微細化を可能にする。【構成】 ウエハ表面25Aを研磨布27に押し付けると共にウエハ25を研磨布27に対して相対移動させてウエハ表面25Aを研磨するウエハ研磨装置10において、押付け手段12は研磨パッド24を液圧シリンダ18で押圧してウエハ25に押付力を付与し、ウエハ表面25Aを研磨布27に均一に押しつけた。このように、体積変化しない液体の圧力でウエハ25を押圧することにより剛性が高くなるので、研磨中に振動等が発生した場合でも研磨パッド24の押付力を一定に維持する。従って、ウエハ表面25Aが均一に研磨され、半導体チップを形成する各工程(成膜、エッチング等)において処理精度が向上する。

請求項（抜粋）：

パッドに支持されたワークに押付力を付与して前記ワークの研磨面を研磨布に押し付けると共に前記ワークを前記研磨布に対して相対移動させて前記ワークの研磨面を研磨するウエハ研磨方法において、前記パッドを液圧シリンダで押圧して前記ワークに前記押付力を付与し、前記ワークの研磨面を前記研磨布に均等に押しつけることを特徴とするウエハ研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-052967
  
• 特開昭64-058474