半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-247718
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106588
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 TFT(薄膜トランジスタ)のオン電流を増加させるために、チャネル領域中でオン電流の流れる方向とチャネル領域を構成するポリシリコンの長軸方向を一致させ、グレインバンダリがポテンシャルバリアとなることを防止する。【構成】ドレイン電極1とソース電極9の間に形成され、その長軸方向がドレイン電極1よりソース電極9へ流れる電流の方向と一致するように形成された柱状の結晶構造を有するチャネル領域4と、チャネル領域4の周面に形成されたゲート電極6とを備えている。

請求項（抜粋）：

ドレイン電極とソース電極の間に形成され、その長軸方向が前記ドレイン電極より前記ソース電極へ流れる電流の方向と一致するように形成された柱状の結晶構造を有するチャネル領域と、前記チャネル領域の周面に形成されたゲート電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/78 311 H , H01L 21/265 P , H01L 29/78 311 G , H01L 29/78 311 S

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