特許
J-GLOBAL ID：200903069226358507
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-236058
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094833
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 素子の信頼性に優れ、長寿命の光変調器付き半導体レーザを得ることを目的とする。【構成】 通常の1回目のエピタキシャル成長工程により一括してエピタキシャル成長された同一の、かつ均一な層厚の量子井戸構造層103の上層に格子不整合層105を配置することによって該量子井戸構造層のバンドギャップを部分的に異ならしめ、これによって半導体レーザの活性層103aと光変調器の光吸収層103bとを形成するようにした。【効果】 レーザ光の光変調器への伝達効率を従来に比べて大きく向上することができ、また、半導体レーザの活性層と光変調器の光吸収層の半導体層の品質を非常に優れたものとでき、高信頼性で、かつ、長寿命の光変調器付き半導体レーザが得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の第1の領域に配置された半導体レーザと、上記半導体基板上の,上記第1の領域に隣接する第2の領域に配置された,上記半導体レーザで発生したレーザ光を透過させ、あるいは吸収して変調光を出力する電界吸収型の光変調器とを有する光変調器付きの半導体レーザにおいて、上記基板上の上記第1,第2の領域に連続して配置された,量子井戸構造層を含む半導体積層構造と、上記第2の領域に配置された上記半導体積層構造上に配置された,上記半導体基板の格子定数よりも小さい格子定数を有する半導体からなる格子不整合層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
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