特許
J-GLOBAL ID:200903069231969166

微細パターンの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 福田 賢三 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-256315
公開番号(公開出願番号):特開2002-075825
出願日: 2000年08月25日
公開日(公表日): 2002年03月15日
要約:
【要約】【課題】 従来の原子リソグラフィー法では、縞状や格子状の紋様は実現されているが、簡単な図形を描画できる程度であった。この発明は、従来の原子リソグラフィー法と同様に光と原子の相互作用を用いているが、自由なパタンを描画することができる原子リソグラフィー法を提供することを目的とする。【解決手段】 透過率を持つ平板の表面に、平板に吸着する程度に低速な原子ビームを照射し、その裏面からは、その原子の共鳴周波数から数GHz程度、高い周波数に離調したレーザー光を平板に斜めに照射して全反射を生じさせ、そのとき平板表面に出射するエバネッセント波強度の強い領域では、原子ビームを反射し、弱い領域では吸着せしめるものである。そのパターンを、ホログラム像で作ることにより、基板でのレーザービーム径に応じたサイズで所望の原子描画パターンを作成でき、光の回折限界まで小さくできる。
請求項(抜粋):
電磁波の伝搬できる物体の、少なくともその一部の表面が平坦である部分を含む第一の表面に、該物体内で電磁波が全反射する条件で電磁波を入射する手続と、上記の全反射の起こる位置にある第二の表面から出射するエバネッセント波に、該第二の表面の位置に応じた強弱をつける手続と、 該第二の表面に、エバネッセント波とガス体の構成要素との相互作用エネルギーが該ガス体の構成要素の運動エネルギーより大きいガス体を照射する手続と、該ガス体の構成要素の一部を該第二の表面に吸着させる手続と、を含むことを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (5件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 505 ,  G03H 1/08 ,  G03H 1/16 ,  G03H 1/22
FI (5件):
G03F 7/20 505 ,  G03H 1/08 ,  G03H 1/16 ,  G03H 1/22 ,  H01L 21/30 502 D
Fターム (12件):
2H097BA02 ,  2H097BB01 ,  2H097CA17 ,  2H097LA10 ,  2K008AA00 ,  2K008CC01 ,  2K008EE01 ,  2K008FF21 ,  2K008FF27 ,  2K008HH03 ,  5F046AA28 ,  5F046BA10

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