特許

J-GLOBAL ID：200903069235905391

基板表面温度計測方法、及び、これを用いた基板処理装置

発明者： 山本 武
出願人/特許権者： キヤノンアネルバ株式会社
代理人 (2件)： 岩田 今日文 ,  瀬戸 さより
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-051931
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212199
出願日： 2008年03月03日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】基板表面温度の計測精度を向上させる。【解決手段】基板106のエッジ面を観測するスコープ115a,115bを使って基板106の膨張量を測定する。その基板106の膨張量を用いて基板106の中立面の温度を算出する。熱流束センサ110を使って基板106の中の熱流束を測定する。測定された熱流束と基板106の熱抵抗とから基板106の中立面と表面との温度差を算出し、該温度差と前記基板の中立面の温度とを用いて基板106の表面の温度を求める。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の膨張量を測定する工程と、 前記基板の膨張量を用いて前記基板の中立面の温度を算出し、前記基板の中の熱流束と熱抵抗とから前記基板の中立面と表面との温度差を算出し、該温度差と前記基板の中立面の温度とを用いて前記基板の表面の温度を求める工程と、 を含む基板表面温度計測方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/26 T ,  H01L21/30 567

Fターム (21件)：

4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030HA13 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA22 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AE01 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE04 ,  5F045EK07 ,  5F045EK11 ,  5F045EM05 ,  5F045GB05 ,  5F045GB16 ,  5F045GB17 ,  5F046KA04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体処理装置における温度測定方法および装置並びに半導体処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-367071   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開昭60-253939号公報
  
• 基板温度測定方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-175110   出願人：株式会社日立製作所