特許
J-GLOBAL ID：200903069238301225
UVEP-ROM装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081609
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295590
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】UVEP-ROMのメモリセルに関し、特に低電圧電源で高速読み出しを可能とするメモリセルの構成に関するものを提供することが本発明の目的である。【構成】外部選択信号Wをゲートへ入力し、外部出力端子Dへドレイン側を接続するNチャンネルトランジスタ3と、電源電圧以上の電圧をゲートへ印加し、Nチャンネルトランジスタ3のソース側へドレイン側を接続し、ソース側を接地レベルへ接続する半導体記憶トランジスタ4とを備えている。
請求項（抜粋）：
第1の外部選択信号がゲート側へ入力され、第1の外部出力端子がドレイン側へ接続される第1のトランジスタと、フローティングゲート及びコントロールゲートを有する半導体記憶用の第2のトランジスタとを備え、前記第2のトランジスタのドレイン側を前記第1のトランジスタのソース側へ接続し、前記第2のトランジスタのコントロールゲートを第1の外部電源へ接続し、前記第2のトランジスタのソース側を接地レベルへ接続することを特徴とするUVEP-ROM装置。
引用特許：
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