半導体発光装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010135
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317546
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 GaP系,GaAsP系,GaAlAs系,GaN系等の透明基板を持つ発光素子による発光輝度を向上させ得る半導体発光装置の提供。【解決手段】 n型半導体基板2の上にn型半導体層3とp型半導体層4及び発光層5を形成するとともに、n型半導体基板2及びp型半導体層4のそれぞれにn電極2a及びp電極4aを形成し、リードフレーム21のマウント部21bにn型半導体基板2が発光方向側であって、発光層5がマウント部21bの搭載面側となる姿勢として、半導体発光素子1を搭載面に搭載する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板と、この第1導電型半導体基板の第1の主面上にエピタキシャル成長された第1導電型半導体層と、この第1導電型半導体層の上にエピタキシャル成長された第2導電型半導体層と、前記第1導電型半導体基板側の第2の主面上に形成された第1の電極と、前記第2導電型半導体層の上に形成された第2の電極と、を少なくとも備えた半導体発光素子と、この半導体発光素子を導通搭載するリードフレームまたは基板等の搭載面とを備えた半導体発光装置であって、前記第1導電型半導体基板側が発光方向であって、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層とによって形成されるp-n接合による発光層が前記搭載面側となる姿勢として、前記半導体発光素子を前記搭載面に搭載したことを特徴とする半導体発光装置。

FI (2件)：

H01L 33/00 N , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-290084
青色発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238553 出願人：三菱電線工業株式会社
p型AlGaN系半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-163217 出願人：三菱電線工業株式会社

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