接着性を改善したトランスファ成形された半導体パッケージ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-090054
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190584
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】トランスファ成形されたパッケージにおいて、その耐湿性を向上し、耐α線の強化を目的とする。【構成】半導体デバイス12をプリント回路板10上に実装して、ワイヤボンディングすることにより、トランスファ成形されたパッド・アレイ・チップ・キャリヤが形成される。プリント回路板の底面には、はんだ付け可能な面24のアレイがあってもよい。ポリマ皮膜18が半導体デバイス12、ワイヤボンド16およびプリント回路板10の上面に塗布され、硬化される。皮膜18は次に部分真空中でスパッタ・エッチングされて、トランスファ成形材料20のプリント回路板10に対する接着力を強化する。半導体デバイスはトランスファ成形工程によりカプセル化される。ポリマ皮膜18はまた、アルファ粒子の放出に対するバリアの役割も果たして、完成されたパッケージの耐湿性を向上させ、デバイスの表面の応力を小さくする。

請求項（抜粋）：

上と下との対向する面を有するプリント回路板;プリント回路板の上面に電気的および機械的に付着された半導体デバイス;半導体デバイスとプリント回路板の上面の少なくとも一部を覆うポリマ皮膜であって、粗化された表面を有するポリマ皮膜;および半導体デバイスの周囲に形成された、半導体デバイスと、プリント回路板の上面の少なくとも一部とをカプセル化する成形材料であって、前記ポリマ皮膜の前記粗化面と直接接触している成形材料;により構成されることを特徴とするトランスファ成形された半導体パッケージ。

IPC (6件)：

H01L 21/56 , B29C 45/02 , H01L 23/12 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , B29L 31:34

FI (2件)：

H01L 23/12 L , H01L 23/30 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-208857
特開昭59-215752
特開昭63-107156

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