高熱伝導性窒化けい素構造部材および半導体パッケージ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-332959
公開番号（公開出願番号）：特開平11-310466
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】窒化けい素焼結体が本来備える高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素構造部材およびそれを用いた半導体パッケージを提供する。【解決手段】本発明に係る高熱伝導性窒化けい素構造部材は、窒化けい素粒子および粒界相により構成され、粒界相中における結晶化合物相が粒界相全体に対して体積比で20%以上を占め、気孔率が1.5vol.%以下であり、熱伝導率が60W/m・K以上であることを特徴とする。さらに本発明の半導体パッケージは、半導体チップ2が搭載されたセラミックス基体1と、セラミックス基体1の半導体チップ2の搭載面側に接合されたリードフレーム5と、半導体チップ2とリードフレーム5とを電気的に接続するボンディングワイヤ6とを具備する半導体パッケージ9において、上記セラミックス基体1を、上記高熱伝導性窒化けい素構造部材にて形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

窒化けい素粒子および粒界相により構成され、粒界相中における結晶化合物相が粒界相全体に対して体積比で20%以上を占め、気孔率が1.5vol.%以下であり、熱伝導率が60W/m・K以上であることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素構造部材。

IPC (3件)：

C04B 35/584 , H01L 23/08 , H01L 23/15

FI (4件)：

C04B 35/58 102 Y , H01L 23/08 D , C04B 35/58 102 A , H01L 23/14 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭63-100066
特開平3-218975
特開平4-212441

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