半導体ウエハの裏面処理方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-030567
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226308
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体ウエハを所定の厚さにするための裏面研削を高精度で、しかも少ない処理工程で行うことを目的とする。【構成】裏面を保護テープ3で保護した半導体ウエハ1を裏面処理装置10Aの粗砥石12及び仕上砥石14で裏面研削した後、スピンナー15に移して、半導体ウエハ1Cに発生したダメージ層4をエッチング用ノズル20からのエッチング液でスピンエッチングすることを特徴とし、その後スピンナー洗浄、スピンナー乾燥して、所定の厚さの半導体ウエハを毎葉処理で得るようにしている。【効果】従来技術のようにバッチ処理でないので、半導体ウエハ毎のばらつきがなく、高精度で仕上げることができ、また工数の削減、コストの低減もでき、更に裏面処理装置も従来のものを流用できる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの表面に保護テープを貼り、該保護テープを貼った半導体ウエハを、その保護テープ側からステージに取り付けて、その半導体ウエハの裏面を研削砥石で研削し、その後、該研削した半導体ウエハを回転させながら、その裏面を化学エッチングし、その後、該化学エッチングした半導体ウエハを回転させながら純水で洗浄し、そして更に洗浄した半導体ウエハを回転させながら空気を吹きつけて乾燥させ、所望の厚さの半導体ウエハを得ることを特徴とする半導体ウエハの裏面処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 331 , H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-121335
特開昭63-173327
特開昭57-170103

全件表示

前のページに戻る