特許
J-GLOBAL ID：200903069250751562
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-288114
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148566
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 ビアホールに対する導体層の付着を容易に、かつ均一に行うためのビアホールを略椀型形状とするのに好適な半導体装置の製造方法の提供。【構成】感光性樹脂3を最終的に絶縁層としての必要な厚みに対して後工程の感光性樹脂3の研削により除去される厚みを加えた厚みとなるように基板1上に設ける。次いで感光性樹脂3に露光・現像・エッチングにより所定のパターンで空洞を形成し、空洞8が形成された感光性樹脂3を熱硬化する。その後、図中、破線で示す光硬化層6aと熱硬化層3aの一部とを研削除去すると、略椀型形状のビアホール9が形成される。
請求項（抜粋）：
感光性樹脂を含む一以上の種類の樹脂からなり、上記感光性樹脂が最上部に位置し、第一の厚み以上の厚みを有する樹脂層を基板上に形成する工程と、上記樹脂層を露光・現像・エッチングして所定のパターンで空洞を形成する工程と、上記空洞を形成した樹脂層を熱硬化させる工程と、上記熱硬化させた樹脂層の一部を上記第一の厚みとなるまで研削除去し、上記空洞の一部で構成されるビアホールを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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