特許
J-GLOBAL ID：200903069251819888
高抵抗化合物半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081755
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295863
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 電気的特性の再現性のよい高抵抗化合物半導体の製造方法を提供する。【構成】 高密度のグラファイトなどからなり、リンの蒸気は透過するがFeやリン化鉄の蒸気は透過することができない密閉容器10内にInPウェハ1を入れ、その密閉容器10の外に赤リン3を置き、それら容器10及び赤リン3を石英アンプル2内に真空封入して該アンプル2を均一に加熱することにより、前記ウェハ1を高抵抗化させる。さらに不純物元素含有濃度が0.1ppmw以下の赤リン3を用いるとよい。さらにまた、複数のウェハ1,1,...の面同士を密着させておくとよい。【効果】 V族族元素の蒸気は透過させるが汚染蒸気は透過させない密閉容器内に化合物半導体の結晶を入れ、且つ密閉容器の外に蒸気源を配置することにより、Fe元素による汚染を防ぎつつ熱処理を行うことができ、高抵抗III-V族化合物半導体を再現性よく製造することができる。
請求項（抜粋）：
アンプル内に化合物半導体の結晶と、前記化合物半導体を構成する複数の元素のうち最も高い飽和蒸気圧を有する元素の前記アンプル内における分圧を前記化合物半導体の解離圧より高い所定の圧力に保つ蒸気源材料とを、封入して熱処理を行うにあたり、前記化合物半導体を構成する複数の元素のうち最も高い飽和蒸気圧を有する元素からなる気体は透過でき、且つ前記化合物半導体を構成する複数の元素のうち最も高い飽和蒸気圧を有する元素の原子半径より大きな原子半径を有する元素であって前記化合物半導体において深いアクセプタとなる元素を含む気体は透過できない材料よりなる密閉容器内に前記結晶を入れ、前記蒸気源材料と前記密閉容器とをアンプル内に封入して熱処理を行うことを特徴とする高抵抗化合物半導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 29/40
, C30B 33/02
, H01L 21/203
