特許
J-GLOBAL ID：200903069256624112
接点用酸化被膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133039
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329141
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 接触抵抗の小さな耐環境性に優れた酸化被膜を形成する。【解決手段】 接点4の表面に、紫外光レーザ1を照射し、接点表面の有機不純物を除去すると共に、所定量の酸化被膜層5を形成する。
請求項（抜粋）：
接点の表面に、紫外光レーザを照射し、接点表面の有機不純物を除去すると共に、接触抵抗値が数mΩ以下となる酸化被膜層を形成することを特徴とする接点用酸化被膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01H 11/04 F
, B23K 26/00 E
