特許
J-GLOBAL ID：200903069258748978
GaAs基体をベースとする高周波ショットキーバリアダイオードの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-121985
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051012
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの活性デバイス層を使用した接触抵抗の比較的小さいショットキーバリアダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基体(20)と、サブコレクタ層(22)と、コレクタ層(24)とが垂直方向に一体化されたプロファイルでショットキーバリアダイオードが形成される。コレクタ層(24)の上に適当な誘電体材料(34)が付着される。コレクタ層(24)及びサブコレクタ層(22)には、バリア及びオーミック接点(42,40) のための経路(28,30) が形成される。コレクタ経路(28)は、コレクタ層(24)へと比較的深くエッチングされて、バリア接点(42)とオーミック接点(40)との間の直列抵抗を下げ、カットオフ周波数性能を比較的高いものとする。
請求項（抜粋）：
a)基体層、サブコレクタ層及びコレクタ層を互いに上下に有する垂直方向に一体化されたプロファイルの構造体を用意し;b)上記コレクタ層の上にホトレジスト層を形成し;c)上記コレクタ層にコレクタ経路をそして上記サブコレクタ層にサブコレクタ経路を画成するように1つ以上のホトマスクをパターン化し;d)上記ホトマスクを通して上記ホトレジスト層を露光し;e)上記ホトレジスト層を現像して、上記ホトレジスト層の露光された部分を除去し、上記サブコレクタ層の第1及び第2部分を露出したままにし;f)上記第1の露出部分を上記コレクタ層へとエッチングしてコレクタ経路を形成すると共に、上記第2の露出部分を上記サブコレクタ層へとエッチングしてサブコレクタ経路を形成し;g)残りのホトレジストを上記コレクタ層から除去し;h)上記露出されたコレクタ層の上と、上記コレクタ経路及び上記サブコレクタ経路内に誘電体層を付着し;i)上記誘電体層の上と、上記コレクタ経路内の上記露出されたコレクタ領域及び上記サブコレクタ経路内の上記露出されたサブコレクタ領域に第2のホトレジスト層を付着し;j)上記誘電体層及び上記第2のホトレジストの一部分を上記コレクタ経路及び上記サブコレクタ経路から除去して、上記コレクタ経路内の上記集合コレクタ層の一部分及び上記サブコレクタ経路内の上記サブコレクタ層の一部分を露出させ;k)上記ホトレジストの残りの部分と、上記コレクタ経路内の上記コレクタ層及び上記サブコレクタ経路内の上記サブコレクタの露出部分とに金属を付着し;そしてl)上記ホトレジストと、上記第2のホトレジストに付着された上記金属層を除去して、上記サブコレクタ経路に形成されたオーミック接点及び上記コレクタ経路に形成されたバリア接点を残す;という段階を備えたことを特徴とするショットキーバリアダイオードを製造する方法。
FI (2件)：
H01L 29/48 P
, H01L 29/48 D
