磁電変換素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020921
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218528
出願日： 1992年02月06日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】表面がガラス被覆処理された基板上に磁伝変換素子の感磁薄膜となる半導体薄膜を直接形成した場合に、その結晶構造の大きな違いに起因して高い電子移動度を持つ良好な特性の半導体薄膜を得ることが難しいという問題を解決し、高い電子移動度を持つ良好な特性の半導体薄膜を得る。【構成】基板1のガラス被覆面2上に、中間層として感磁薄膜となる半導体4と同じ結晶構造を有する高抵抗半導体薄膜3を形成する。【効果】本発明の磁電変換素子及びその製造方法によれば、ガラス被覆処理した基板表面上に良好な結晶性の半導体薄膜を容易に形成することができる。

請求項（抜粋）：

表面がガラス被覆処理された基板上に高抵抗半導体薄膜が形成され、かつ該高抵抗半導体薄膜上に形成された半導体薄膜を感磁薄膜としたことを特徴とする磁電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 43/06 , H01L 43/08

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-001287
特開昭61-269386

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