特許

J-GLOBAL ID：200903069267656989

半導体記憶装置

発明者： 福田 達哉 ,  羽倉 司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183905
公開番号（公開出願番号）：特開平6-028856
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【構成】 !(CAS)before!(RAS)リフレッシュ時、センス開始時に活性化する信号と、センス終了後に活性化する信号を用いて、センス終了後は、BLIのブーストレベル保持を、やめる様にする。【効果】 CBRリフレッシュ時、ブースト信号の無駄な保持を、やめることにより、消費電流を低減できる。

請求項（抜粋）：

!(CAS)before!(RAS)リフレッシュ時において、シェアードセンスアンプに接続されるビット線を選択する信号のブーストレベルの保持をセンス終了時に停止するブースト回路を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。