特許

J-GLOBAL ID：200903069269541046

半導体装置

発明者： 八木田 秀樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-095951
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289921
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高周波集積回路およびMMICの集積回路内の電極配線を用いてインダクタンス素子を形成する場合、電気抵抗値を低減し、発振回路や共振回路に用いる高いQ値と低損失なインダクタンス素子の実現を可能とし、またスパイラル形状の配線パターンでインダクタンス素子を形成した場合半導体チップ上の占有する表面積を縮小して、半導体チップの有効利用とチップの縮小を図る。【解決手段】 少なくも複数のボンディングパッド5〜8のボンディングパッド間を接続した複数の金属ボンディングワイヤ13,14,15とによってインダクタンス素子を、中間のボンディングパッド6或はボンディングパッド7の少なくとも3個ボンディングパッドにより、中間タップ付インダクタンス素子を、また上記インダクタンス素子、中間タップ付インダクタンス素子を磁気的に結合させることで相互インダクタンス値を有するインダクタンス素子を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路のチップ表面上に相対向して配置された電極引き出し用のボンディングパッドの中間に別に少なくも複数のボンディングパッドを有し、前記中間に配置された少なくも複数のボンディングパッド間を金属ボンディングワイヤを介して接続し、該金属ボンディングワイヤと該複数のボンディングパッドによりインダクタンス素子を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12 301

FI (2件)：

H01L 21/60 301 N ,  H01L 23/12 301 C