特許

J-GLOBAL ID：200903069269563953

半導体装置及びその製造方法

発明者： 黒田 滋 ,  松倉 祐輔
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-271252
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139284
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 ゲート漏れ電流が少なく、高速で動作するIII -V族化合物半導体を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 p型トランジスタPとして、III -V族化合物半導体基板上にチャネル層2P、正孔供給層4P、化学量論比からV族原子が多くなるように組成比がずれたIII -V族化合物半導体層5P、p型コンタクト層6Pが形成され、化合物半導体層5P上にゲート電極7Pがショットキー接合され、p型コンタクト層6P上にソース電極8Pとドレイン電極9Pがオーミック接触している。n型トランジスタNとして、III -V族化合物半導体基板上にチャネル層2N、電子供給層4N、化学量論比からIII 族原子が多くなるように組成比がずれたIII -V族化合物半導体5N、n型コンタクト層6Nが形成され、化合物半導体層5N上にはゲート電極7Nがショットキー接合され、n型コンタクト層6N上にソース電極8Nとドレイン電極9Nがオーミック接触している。

請求項（抜粋）：

荷電粒子が移動するチャネルが形成されるチャネル層と、前記チャネル層に荷電粒子を供給する荷電粒子供給層と、前記荷電粒子供給層よりもバンドギャップの小さいIII -V族化合物半導体であって、ショットキーバリア高さが高くなるように、前記III -V族化合物半導体の化学量論比からIII 族原子又はV族原子が多くなるように組成比がずれた化合物半導体層と、前記化合物半導体層にショットキー接合されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

H01L 29/80 E ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 C ,  H01L 27/08 321 A ,  H01L 29/80 H