特許
J-GLOBAL ID：200903069269960740
電荷転送素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030953
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244220
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極抵抗の低いCCDおよびその製造方法を提供すること。【構成】 P型基板40の上にN型の埋め込み層42を具え、この埋め込み層上にSiO2 膜のゲート絶縁膜46を介して、複数のポリシリコンのゲート電極48を、互いに電気的に分離して設けてある。そして、各ゲート電極48の側壁には、ポリシリコンの導電性サイドウォ-ル50を具えている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の下地上に、第2導電型の埋め込み層を具え、該埋め込み層上にゲート絶縁膜を介して、複数のゲート電極を、互いに電気的に分離して設けてある電荷転送素子において、前記ゲート電極の側壁に、導電性サイドウォ-ルを具えてなることを特徴とする電荷転送素子。
IPC (2件)：
H01L 21/339
, H01L 29/796
