特許

J-GLOBAL ID：200903069272080998

フィン構造の半導体装置及びその製造方法

発明者： 金村 貴永
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-288217
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103455
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

【課題】 フィン構造の半導体装置及びその製造方法に関し、フィンの高さ方向に比較的均一な不純物の濃度分布が形成される構成、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板の酸化膜上に所定の高さを有して形成されたフィンと、フィンの両面にゲート絶縁物を介して形成されたゲート電極と、フィンのゲート電極の両側に不純物の注入によって形成されたソース・ドレイン領域とを有し、フィンのソース・ドレイン領域を形成する不純物のフィンと酸化膜との界面近くの濃度が、酸化膜中のフィンと酸化膜との界面近くの濃度より低いものとする。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

基板の酸化膜上に所定の高さを有して形成されたフィンと、 前記フィンの両面にゲート絶縁物を介して形成されたゲート電極と、 前記フィンの前記ゲート電極の両側に不純物の注入によって形成されたソース・ドレイン領域とを有し、 前記フィンのソース・ドレイン領域を形成する前記不純物の前記フィンと前記酸化膜との界面近くの濃度が、前記酸化膜中の前記フィンと前記酸化膜との界面近くの濃度より低いことを特徴とするフィン構造の半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L29/78 618C ,  H01L29/78 620 ,  H01L21/265 U

Fターム (24件)：

5F110AA04 ,  5F110AA30 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE31 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ19