特許
J-GLOBAL ID：200903069275009020
高周波素子用パッケージ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 宗久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-352287
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166957
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 信号線路上方又はその下方のパッケージの周壁を構成するセラミック層間に、グランドプレーン効果の充分得られる厚くて導体抵抗値の低いグランド層を備えた高周波素子用パッケージを得る。【構成】 信号線路40下方のパッケージの周壁を構成するセラミック層10,20を上下に分離する。上下に分離したセラミック層10上面とセラミック層20下面には、めっきを施したメタライズ層12,22をそれぞれ備える。メタライズ層12,22間は、導体抵抗率の低い金属を多量に含むろう材70を用いて気密にろう付け接合する。そして、それらの上下2層のメタライズ層12,22とそれらの間を接合したろう材70とからなるグランド層80を、セラミック層10,20間に備える。
請求項（抜粋）：
セラミック層を複数層積層して形成してなるパッケージの周壁中途部のセラミック層上面に、前記周壁を貫通して周壁内外に連なる信号線路を備えた高周波素子用パッケージにおいて、前記信号線路下方又はその上方の周壁中途部のセラミック層を上下に分離して、その上下に分離した上部セラミック層下面と下部セラミック層上面とにろう材に濡れやすいめっきを施したメタライズ層をそれぞれ備えると共に、それらのメタライズ層間をろう材を用いて気密にろう付け接合し、それらのめっきを施したメタライズ層とろう材とを用いて、前記周壁中途部のセラミック層間に前記信号線路をストリップ線路又はマイクロストリップ線路に形成するためのグランド層を設けたことを特徴とする高周波素子用パッケージ。
IPC (2件)：
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