特許

J-GLOBAL ID：200903069276739510

電力装置のための構成方法

発明者： ジョバンニ・フランコ ,  カテノ・マルコ・カマッレリ ,  フェッルッチオ・フリジナ
出願人/特許権者： コンソルツィオ・ペール・ラ・リケルカ・スラ・ミクロエレットローニカ・ネル・メッツォジオルノ
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-266997
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129722
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 少なくとも1つの深いエッジリングを備える電力装置のための構成方法を提供する。【解決手段】 少なくとも1つの深いエッジリングを備える電力装置のための構成方法は、大量にドーピングされたN-型基板の上に僅かにドーピングされたN-型エピタキシャル層を成長させることと、エピタキシャル層の上部分に酸化物を成長させることと、ホウ素イオンをマスキングし次に注入することと、酸化物をエッチングしてアルミニウムイオン注入のための領域を露出させることと、感光性材料の層で本体領域をマスキングすることと、アルミニウムイオンを注入することと、エピタキシャル層の上に熱酸化物の層を形成し、同時に少なくとも1つの深いアルミニウムリングを形成し、かつホウ素でドーピングされた近接する本体領域を形成する単一の熱拡散プロセスとを含んでいる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの深いエッジリングを備える電力装置のための構成方法であって、(a) 大量にドープされたN-型の基板の上に僅かにドープされたN-型のエピタキシャル層を成長させるステップと、(b) エピタキシャル層の上部分に酸化物を成長させるステップと、(c) ホウ素イオンをマスキングしかつ注入するステップと、(d) 酸化物をエッチングしてアルミニウムイオン注入のための領域を露出させるステップと、(e) 感光性材料の層で本体領域をマスキングしアルミニウムイオンを注入するステップと、(f) エピタキシャル層の上に熱酸化物の層を形成し、同時に少なくとも1つの深いアルミニウムエッジリングを形成し、かつホウ素でドーピングされた近接する本体領域を形成する単一の熱拡散プロセスとを含む、電力装置のための構成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/761 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/76 J ,  H01L 21/265 A