特許
J-GLOBAL ID：200903069280893078
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181398
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029706
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザ装置で、しきい値や効率の劣化を低く抑えて、高出力を得る。【構成】 n-GaAs基板1上にn-AlGaInPクラッド層2,GaInP活性層3,p-AlGaInPクラッド層4が形成してあり、p-AlGaInPクラッド層4はストライプ状のメサ部以外は光の閉じ込めに不十分な厚みとなっている。このメサ部以外の部分とメサ部の図面手前の端面近傍の上には、n-GaAs5が形成されており、さらにすべての上にp-GaAs6を形成してある。また、図面手前の端面の近傍のみに、Zn拡散窓層9が形成され、この端面には低反射膜であるAl2 O3 膜7が形成され、後面には高反射膜であるAl2 O3 /a-Si膜8が形成されている。
請求項（抜粋）：
一方のキャビティ端面の反射率が、他の一方のキャビティ端面の反射率より小さい半導体レーザ装置において、反射率の小さい方の端面近傍にのみ窓構造、もしくは、電流非注入領域、もしくは、その両方を具備することを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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