特許
J-GLOBAL ID：200903069292811905
磁歪素子を用いたセンサ及びセンサ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-123913
公開番号（公開出願番号）：特開平11-304604
出願日： 1998年04月20日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 外力が加わることによる磁歪素子の透磁率変化をコイルのインダクタンス変化に変換して検出可能とし、永久磁石を含む磁気回路を不要として小型化及びコスト低減を図る。【解決手段】 磁歪素子1と該磁歪素子1の周囲に配設された少なくとも1つのコイル2をケーシング30内に収納し、加重が前記磁歪素子1の中心軸方向に加わるように前記磁歪素子1の両端側に位置する凹面形状部材である受座11,14を前記ケーシング30に設け、前記加重による前記磁歪素子1の透磁率変化を前記コイル2のインダクタンス変化として検出する構成である。
請求項（抜粋）：
磁歪素子と該磁歪素子の周囲に配設された少なくとも1つのコイルをケーシング内に収納し、加重が前記磁歪素子の中心軸方向に加わるように前記磁歪素子の両端側に位置する凹面形状部材を前記ケーシングに設け、前記加重による前記磁歪素子の透磁率変化を前記コイルのインダクタンス変化として検出することを特徴とする磁歪素子を用いたセンサ。
IPC (4件)：
G01L 1/12
, G01H 11/04
, G01L 9/16
, H01L 41/12
G01L 1/12
, G01H 11/04
, G01L 9/16
, H01L 41/12
