半導体素子の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148385
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307195
出願日： 1996年05月18日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】全体を加熱炉などに入れて長時間加熱せずに比較的簡素なプロセスで、所望の位置の超格子層のみを精度良く無秩序化できる半導体素子の作製方法である。【解決手段】誘電体膜などを用いずに半導体積層材料21の無秩序化したい領域のみを短時間で加熱する。その為に、無秩序化したい半導体超格子構造の最長のバンドギャップ波長より短い波長で、かつこの半導体超格子構造を積層する他の半導体層のバンドギャップ波長より長い波長を有する光源25からの光照射を用いる。光照射を部分的に遮光する遮光板22を加熱用光源25と半導体積層材料21の光路間に設置する。

請求項（抜粋）：

半導体超格子構造を有する半導体積層材料に光源より光照射して光源光吸収により前記半導体超格子構造を加熱して前記半導体超格子構造の無秩序化を行なう工程を含む半導体素子の作製方法において、前記光源波長は、前記半導体超格子構造の最長のバンドギャップエネルギー波長より短く、かつ前記半導体超格子構造に積層する他の半導体層のバンドギャップエネルギー波長より長く、前記光源と前記半導体積層材料間に、前記光源光を部分的に遮光する遮光板を置き、前記遮光板の位置を調節することにより、前記半導体積層材料への光源光照射位置の調節が可能であることを特徴とする半導体素子の作製方法。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , G02B 6/122 , G02F 1/025 , H01L 27/15

FI (4件)：

H01S 3/18 , G02F 1/025 , H01L 27/15 C , G02B 6/12 B

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