特許
J-GLOBAL ID：200903069316930412
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-293417
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124549
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 InP基板上にAl酸化層による電流及び光閉じ込め構造を有する半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子20は、n-InP基板21上に順次形成された、n-InPクラッド層22、SCH-MQW活性層23、第一のp-InPクラッド層24、p-AlInAs層/p-AlAs層の多層膜25、第二のp-InPクラッド層26、及びp-GaInAsコンタクト層27からなる積層構造を備えている。p-AlInAs層/p-AlAs層の多層膜25は、p-AlInAs層25aの間にp-AlAs層25bを介在させた多層膜の構成になっている。積層構造のうち、第一のp-InPクラッド層の上層部、多層膜、第二のp-InPクラッド層、及びp-GaInAsコンタクト層は、幅が約10μmのストライプ状リッジ32として形成されている。多層膜のリッジ側面部は、多層膜中のAlが選択的に酸化されたAl酸化層28となっている。
請求項（抜粋）：
InP基板上に、順次形成された下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層のうちの少なくとも上部クラッド層を、ストライプ状リッジ又はメサポストを形成する半導体積層構造の一部として有する半導体レーザ素子において、p型AlInAs層とp型AlAs層とから成る多層膜で形成された中央領域と、p型AlInAs層とp型AlAs層とから成る多層膜中のAlを選択的に酸化して成るAl酸化層で形成され、中央領域に連続する側部領域とを有する電流狭窄層をp型クラッド層の間もしくはp型クラッド層と活性層の間に備えることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (4件)：
5F073AA09
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073DA27
