狭周波数帯エキシマレーザー

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-287162
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191648
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】向上したエネルギー線量制御と再現性を備え、且つ約500乃至2000Hzの範囲の速さでパルス生成可能な極狭周波数帯レーザーを提供する。【解決手段】先行技術によるバーストモードで、パルスのバースト開始後1回のガス循環時間に起きる「スラグ効果」は、微量の酸素を加えることで排除できる。好適実施例では、フッ素の分圧を0.10パーセント未満に抑えることにより、また出力カプラーの反射率を25パーセント以上に上げることにより、非常に狭い帯域が実現できた。好適実施例では、先行技術の線狭化モジュールで使用されている先行技術の石英ガラスビーム膨張プリズムに換えて、フッ化カルシウムプリズムを使用した。

請求項（抜粋）：

A.フッ素と共存できる材質から成るレーザー室であり、且つ(1)2つの長く伸ばされた電極棒と、(2)少なくとも1つのプリイオン化装置と(3)総気圧を限定し、且つ希ガス、フッ素、バッファーガス、及び濃度が2から50ppmの間にある酸素から成るレーザーガスとを含むレーザー室及び、B.(1)少なくとも1つのビーム膨張プリズムと、(2)格子と、(3)格子をチューニングするためのチューニング手段とから成る線狭化モジュールから成る極狭周波数帯エキシマレーザー。

IPC (4件)：

H01S 3/038 , H01S 3/034 , H01S 3/1055 , H01S 3/225

FI (4件)：

H01S 3/03 B , H01S 3/1055 , H01S 3/03 G , H01S 3/223 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

狭帯域レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-149706 出願人：株式会社小松製作所

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